FET biasanya dibuat dengan teknologi yang disebut Complementary Metal - Oxide Semiconductor , atau CMOS . CMOS inisial berdiri untuk Complementary Metal - Oxide Semiconductor . ( E6A13 ) FET dibuat dengan teknologi CMOS kadang-kadang menyebutnya MOSFET .
Pada Gambar E6-2 ( bawah ) , skema simbol 1 adalah simbol untuk P -channel FET . ( E6A11 ) Dalam Gambar E6-2 ( bawah ) , skema simbol 4 adalah simbol untuk N - channel dual- gerbang MOSFET . ( E6A10 )
Salah satu ciri dari MOSFET adalah bahwa mereka memiliki impedansi masukan yang tinggi. Hal ini membuat mereka lebih menarik untuk digunakan dalam berbagai aplikasi peralatan uji dari transistor bipolar. Bagaimana DC masukan impedansi pada pintu gerbang sebuah transistor efek medan dibandingkan dengan impedansi masukan DC dari transistor bipolar? FET memiliki impedansi masukan yang tinggi; transistor bipolar memiliki impedansi masukan yang rendah. (E6A14)
Salah satu kelemahan dari menggunakan MOSFET adalah bahwa mereka sangat sensitif terhadap sengatan listrik (ESD). Kadang-kadang, mereka rusak oleh muatan listrik statik begitu rendah sehingga Anda bahkan tidak pernah melihat percikan atau merasa shock. Untuk mengurangi kemungkinan gerbang isolasi yang tertusuk oleh muatan listrik statik atau tegangan berlebihan banyak perangkat MOSFET telah terhubung secara internal dioda Zener di gerbang. (E6A12)
Kebanyakan FET adalah perangkat tambahan-mode. Bila menggunakan perangkat tambahan modus FET, Anda harus menerapkan tegangan ke pintu gerbang untuk mendapatkan arus mengalir dari sumber ke drain. Beberapa FET, bagaimanapun, perangkat depletion mode. Sebuah penipisan-mode FET adalah FET yang menunjukkan aliran arus antara sumber dan tiriskan bila tidak ada tegangan gerbang diterapkan. (E6A09)
No comments:
Post a Comment