Semiconductor diodes Transistor

Dioda adalah perangkat semikonduktor yang paling sederhana. Sebuah PN junction dioda terbentuk ketika Anda bergabung sedikit P-jenis material untuk sedikit N-jenis material. Ketika Anda bergabung dengan dua bahan, beberapa elektron dari bahan tipe N bermigrasi ke bahan P-jenis dan mengisi lubang di sana. Akibatnya, lubang terbentuk di bahan tipe N. Migrasi biaya membentuk apa yang disebut daerah penipisan di persimpangan PN, dan bentuk-bentuk medan listrik di seluruh wilayah ini. Medan listrik menghasilkan tegangan persimpangan.

Karakteristik yang paling penting dari PN junction dioda adalah bahwa hal itu hanya memungkinkan arus mengalir ketika maju-bias, yaitu ketika tegangan diterapkan pada materi P-jenis yang lebih positif dari tegangan diterapkan pada N-type bahan. Ketika PN junction dioda dibalik bias-yaitu ketika tegangan diterapkan pada materi P-jenis yang lebih negatif dari tegangan diterapkan pada N-jenis bahan-dioda tidak akan melakukan arus. Sebuah PN-junction dioda tidak melakukan saat ketika reverse bias karena lubang di P-jenis bahan dan elektron dalam bahan tipe N dipisahkan oleh tegangan yang diberikan, pelebaran daerah deplesi. (E6A03) ini tidak memungkinkan untuk saat ini mengalir melalui daerah

Transistor bipolar junction
Mungkin jenis yang paling populer dari transistor adalah bipolar junction transistor (BJT). Bipolar junction transistor adalah perangkat tiga terminal, yang disebut emitor, basis, dan kolektor. Dalam transistor NPN, emitor dan kolektor adalah N-jenis bahan dan dasar adalah P-jenis bahan. Dalam transistor PNP, emitor dan kolektor adalah P-jenis, sementara dasar adalah N-type. Dasar terjepit di antara kolektor dan emitor, sehingga ada persimpangan diode antara basis dan kolektor dan basis dan emitor. Diagram sirkuit untuk transistor ini ditunjukkan di bawah.

Ketika dioda basis- emitor maju - bias , arus , yang disebut arus basis akan mengalir . Sebuah silicon NPN junction transistor bias ketika tegangan basis - to- emitor sekitar 0,6-0,7 volt . ( E6A07 )

Jika ada tegangan yang sesuai antara kolektor dan emitor , ini arus basis kecil akan menyebabkan arus yang jauh lebih besar mengalir antara kolektor , melalui basis ke emitor . Jumlah basa kontrol saat berapa banyak kolektor arus mengalir . Ini adalah bagaimana transistor memperkuat sinyal .

Perubahan arus kolektor terhadap arus basis adalah beta dari persimpangan transistor bipolar . ( E6A06 ) ini juga kadang-kadang disebut hfe , atau gain arus , transistor . Perubahan arus kolektor terhadap emitor saat ini adalah alpha dari persimpangan transistor bipolar . ( E6A05 )

Karakteristik penting lain dari transistor bipolar adalah frekuensi alpha cutoff . Ini adalah ukuran dari seberapa tinggi frekuensi transistor akan beroperasi . Frekuensi cutoff Alpha adalah frekuensi di mana gain arus beralasan - basis dari transistor telah menurun ke 0,7 dari keuntungan diperoleh pada 1 kHz . ( E6A08 )